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DIODES INC.  FZT603TA  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 140 V, 150 MHz, 2 W, 2 A, 15000 hFE

DIODES INC. FZT603TA
Technical Data Sheet (128.29KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The FZT603TA is a NPN silicon planar medium-power Darlington Transistor offers 2W power dissipation and 2A high continuous collector current.
  • UL94V-0 Flammability rating
  • Useful hFE up to 6A
  • Halogen-free, Green device
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
140V
Übergangsfrequenz ft:
150MHz
Verlustleistung Pd:
2W
DC-Kollektorstrom:
2A
DC-Stromverstärkung hFE:
15000hFE
Bauform:
SOT-223
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt;
  • Fahrzeugelektronik;
  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000112

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