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DIODES INC.  FMMTA14TA  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 40 V, 330 mW, 300 mA, 20000 hFE

DIODES INC. FMMTA14TA
Technical Data Sheet (46.69KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The FMMTA14TA is a NPN silicon planar Darlington Transistor offers 330mW power dissipation and 300mA continuous collector current.
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
40V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
330mW
DC-Kollektorstrom:
300mA
DC-Stromverstärkung hFE:
20000hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000197

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