Low

DIODES INC.  FMMT634TA  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 900 mA, 60000 hFE

DIODES INC. FMMT634TA
Technical Data Sheet (103.97KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The FMMT634TA is a NPN silicon power Darlington Transistor offers 625mW power dissipation and highest current capability.
  • Very high hFE - specified at 2A (5K minimum)
  • FMMT734 Complementary PNP type
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
100V
Übergangsfrequenz ft:
140MHz
Verlustleistung Pd:
625mW
DC-Kollektorstrom:
900mA
DC-Stromverstärkung hFE:
60000hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften

Anwendungen

  • Power-Management;
  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000008

Zugehörige Produkte

Ähnliche Produkte

Sie können nach Produkten mit einer ähnlichen Funktionalität wie dieser suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über dieses bestimmte Attribut verfügen.