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DIODES INC.  BST52TA  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 1 W, 500 mA, 2000 hFE

DIODES INC. BST52TA
Technical Data Sheet (15.96KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The BST52TA is a NPN silicon planar Darlington Transistor offers 90V collector-base voltage and 500mA continuous collector current.
  • Fast switching
  • High hFE
  • -65 to 150°C Operating temperature range

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
80V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
1W
DC-Kollektorstrom:
500mA
DC-Stromverstärkung hFE:
2000hFE
Bauform:
SOT-89
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Great Britain

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00016

Alternativen

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE

NXP

Gurtabschnitte
729 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

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